Samsung va folosi tehnologia TSMC pentru cipurile de memorie de generație viitoare destinate Nvidia
Samsung Electronics va utiliza procesul de fabricație de 3 nanometri al TSMC pentru a produce substraturile de bază (base dies) destinate cipurilor de memorie cu bandă largă (HBM) personalizate de generație viitoare comandate de Nvidia, a relatat publicația Seoul Economic Daily, citând surse din industrie.
Conform acestor informații, ar fi prima dată când Samsung colaborează cu producătorul contractant taiwanez de cipuri în etapa de fabricație a HBM.
Nvidia le-ar fi solicitat celor trei mari producători de memorie — Samsung, SK Hynix și Micron Technology — să folosească procesul TSMC pentru substraturile de bază ale cipurilor NVHBM și tehnologia DRAM de generația a șasea pentru cipurile nucleu.
NVHBM, prezentat în august, integrează controlerul de memorie personalizat al Nvidia în substratul de bază și urmărește standardizarea implementării între mai mulți furnizori de memorie.
Potrivit publicației, Samsung ar fi acceptat cerințele Nvidia după o analiză internă, dar intenționează să își păstreze modelul de producție internă pentru HBM standard și pentru produsele personalizate destinate altor clienți.
Compania evaluează totodată dacă propria fabrică de semiconductori ar putea produce substraturile de bază pentru NVHBM în cazul în care cererea ar depăși capacitatea TSMC, a mai relatat ziarul, citând o sursă anonimă.